Государственному унитарному предприятию "Научно-производственное предприятие "Пульсар" в июне 2003 года исполнилось 50 лет.

Постановлением Совета Министров СССР от 4 июня 1953 г. № 1402/563, приказом Министра электростанций и электропромышленности от 9 июня 1953 г. № 60 с целью разработки промышленных типов полупроводниковых приборов, внедрения их в промышленное производство и проведения единой технической политики был создан отраслевой научно-исследовательский институт с опытным производством. В дальнейшем предприятие получило название НИИ "Пульсар" и завод "Пульсар", стало базовым для полупроводниковой отрасли. В 1995 г. ГУП "НПП "Пульсар" образовано путем слияния в единую организацию Государственного научно-исследовательского института "Пульсар" и Государственного завода "Пульсар". В настоящее время предприятия в соответствии с законодательством независимые организации - юридические лица, связанные техническим и технологическим единством, с единой переплетенной инфраструктурой.

На протяжении всей полувековой истории предприятие оставалось лидером полупроводникового приборостроения.

В 1953-1954 гг. были созданы первые в СССР промышленные образца точечных, а затем и плоскостных германиевых транзисторов. Разработаны сплавная, сплавно-диффузионная и планарная технологии. С 1954 по 1972 гг. - годы разработки и серийного производства германиевых приборов - было выпущено не менее 500 млн. приборов, которые нашли применение в военной технике, телевидении, вычислительной технике, связной аппаратуре. НИИ "Пульсар" стал базовым предприятием по созданию всех новых транзисторов и разработчиком технологии их изготовления. Результаты работ внедрялись на серийных заводах электронной промышленности, территориально располагавшихся на территории России и бывших Союзных республик СССР

С 1956 г. начаты разработки и освоение производства кремниевых транзисторов. На базе сплавной, диффузионной, а затем планарной технологий было разработано более 1000 типов кремниевых транзисторов, большинство из которых было внедрено на предприятиях отрасли и выпускались многомиллионными, а некоторые типы - миллиардными тиражами. Повышение рабочих частот и отдаваемых мощностей - главное направление развития этой группы приборов.

С 1975 г. начинается активная разработка арсенид-галлиевых приборов. Разрабатываются базовые технологии: планарно-эпитаксиальная и ионного легирования, проводятся работы по формированию субмикронных элементов конструкций, для чего создаются электронно-лучевая литография, фотолитография в диапазоне короткого УФ излучения. В результате выполнения этих работ созданы серии малошумящих, средней мощности и мощных транзисторов для работы в СВЧ и КВЧ диапазонах длин волн.

Транзисторная тематика являлась и остается основополагающим научно-техническим направлением деятельности предприятия.

Открытие в 1959 г. возможности высокочастотной генерации при лавинном пробое привело к созданию лавинно-пролетных диодов. Германиевые, кремниевые, а в последующие годы арсенид-галлиевые ЛПД позволили получить мощности от единиц до десятков ватт в диапазоне сантиметровых и миллиметровых длин волн и долгое время не имели конкуренции со стороны других типов полупроводниковых приборов.

На 1973 год приходится начало развития нового направления полупроводниковой электроники - фотоэлектроники, базовой основой которой стали приборы с зарядовой связью. Как в свое время транзистор, так и ПЗС определили переход от электровакуумных приемников изображения к твердотельным, обеспечили создание высокоинформативных надежных видеосистем дистанционного зондирования, исследований природных ресурсов, в том числе и устройств специального назначения, разрабатываемых в интересах оборонного комплекса страны.

На предприятии была разработана первая микроэлектронная схема.

В направлении микроэлектроники предприятие первым обратилось к созданию микросхем для приборов точного времени - электронных часов. Производство микросхем и электронных часов на их основе было освоено заводом "Пульсар" и в дальнейшем передано на завод "Интеграл" г. Минск, ставшим крупнейшим производителем этой продукции.

Собственная элементная база из изделий электронной техники обеспечила становление и активное развитие нового направления научно-технической деятельности - создание комплексированных радиоэлектронных изделий. В 70-х годах проводятся работы по созданию технологической базы для изготовления узлов и блоков радиоэлектронной твердотельной аппаратуры в микроэлектронном исполнении. Результаты этих работ - значительное снижение весов, габаритов и энергопотребления законченных изделий. Первой крупной работой на этом направлении стала разработка самолетного ответчика системы государственного опознавания. Среди новых проектов, в реализации которых активно участвует предприятие, - работы по созданию твердотельных радиолокационных станций для управления воздушным движением и оборонных комплексов различных родов войск. Модернизированные радиолокационные комплексы на твердотельных приборах уже функционируют в аэропортах Домодедово, Внуково, Дзержинске (Нижегородская область).

На сегодня работами предприятия фактически положено начало развития нового направления СВЧ электроники - твердотельного СВЧ радиоэлектронного приборостроения.

За участие в крупных технических, инженерных и научных проектах, большой вклад в развитие электронной техники предприятие награждено орденом Трудового Красного Знамени в 1968 г. и орденом Ленина в 1984 г., 24 сотрудника удостоены звания лауреатов Ленинской и Государственной премий за личный вклад в разработку и внедрение новых приборов. Золотыми, серебряными и бронзовыми медалями Брюссельского салона изобретений "Эврика" отмечены наиболее существенные авторские свидетельства и патенты, полученные сотрудниками предприятия при разработке новых приборов.

В настоящее время предприятие специализируется на разработках СВЧ, силовых, оптоэлектронных и микроэлектронных полупроводниковых приборов, а также комплексированных изделий, использующих перечисленную элементную базу.

Проводятся разработки и выпуск приборов изделий по следующим направлениям:

• кремниевые биполярные транзисторы малой, средней и большой мощности ВЧ и СВЧ диапазонов частот для непрерывного и импульсного режима работы;
• кремниевые полевые транзисторы ВЧ и СВЧ диапазонов частот;
• кремниевые полевые, биполярные и биполярно-полевые мощные переключательные транзисторы для силовой электроники;
• арсенид-галлиевые полевые малошумящие транзисторы и транзисторы средней мощности и мощные СВЧ и КВЧ диапазонов частот;
• модули аппаратуры радиолокации и связи на базе узлов и блоков, выполняемых на собственной элементной базе;
• фоточувствительные линейные и матричные приборы с зарядовой связью;
• аналоговые и цифровые микросхемы для аппаратуры обработки сигналов;
• термопечатающие головки, термопечатающие устройства.

Выпускаемая продукция используется в народном хозяйстве и оборонном комплексе в системах связи, радиолокации, навигации, силовой электроники, фотоэлектроники, промышленной электроники, в торговле и обслуживании населения. Потребители - более 500 предприятий РФ, стран СНГ и фирмы дальнего зарубежья. Разработки предприятия обеспечивают модернизацию и создание новых систем управления, выпускаемая продукция - комплектацию современной аппаратуры.

Предприятие имеет аккредитацию научной организации, лицензии на выполнение работ в интересах оборонного комплекса, Росавиакосмоса.

Предприятие сохраняет высокие позиции и традиции научной школы полупроводниковой электроники.

С 1957 года на предприятии проводится послевузовская подготовка специалистов высшей квалификации через аспирантуру. Действует диссертационный совет по присуждению ученых степеней доктора наук. Подготовлено 22 доктора и 249 кандидатов наук. В настоящее время на предприятии работают 13 докторов наук и 50 кандидатов наук. На базовой кафедре твердотельной электроники в МИРЭА проводится обучение студентов по профильным направлениям деятельности предприятия. С 1970 г. базовой кафедрой выпущено более 1000 молодых специалистов, работающих не только в научные и производственных подразделениях предприятия, но и на многих предприятиях отрасли.